[12a-A302-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[12a-A302-9] InGaN/GaNヘテロ構造成長におけるAlNテンプレートの変化

〇角谷 正友¹、高原 悠希^1,2、矢代 秀平^1,3、本田 徹³、Dickerson Kindole^1,4、竹端 寛治¹、今中 康貴^1,4、上殿 明良² (1.物材機構、2.筑波大、3.工学院大、4.北大理)

キーワード：III-V族窒化物、AlNテンプレート、MOCVD

AlNテンプレート上のGaN薄膜成長を議論することは重要である。AlNテンプレート上にGaN薄膜を成長する際に、下地であるAlNテンプレート自体がまさに緩衝層としてa軸長や半値幅が変化することを見出した。