[12a-B406-1~5] 3.14 Optical control devices and optical fibers

[12a-B406-1] Fabrication of Electrodes on InP TE mode semiconductor Opical Isolators by Electron-beam Lithography

〇Satoshi Nishiyama¹, Yuka Kobayashi¹, Hiroki Komagome¹, Yuya Ara¹, Hiromasa Shimizu¹ (1.Tokyo Univ. of Agri. & Tech)

Keywords:Semiconductor Optical Isolators, Electron-beam Lithography, Current injection

半導体光アイソレータは光の伝搬方向を制御し、安定動作を実現するのに必要不可欠な素子である。また、測定の際に強磁性金属を含む光導波路の伝搬損失の影響を受ける為、受動素子では測定が容易ではない。そこで本研究では素子の損失を電流注入による利得で補う為、電極をTEモード半導体光アイソレータ上に形成する作製プロセスを考案し、実際に素子を作製した。