[12a-B508-1~11] 3.5 Laser system and materials

[12a-B508-2] Ti: sapphire laser pumped by 450-nm diode laser at low temperature

〇(B)Yuta Shioya¹, Shogo Fujita¹, Fumihiko Kannari¹ (1.Keio Univ.)

Keywords:Ti:sapphire, InGaN LD

5 Wの449-nm LDを励起光に用い，結晶長とドープ濃度，FOMの異なる3つの結晶を用いて，Ti:sapphireレーザの室温およびクライオスタットを用いた低温発振実験を行った． またFOMの異なる結晶で蛍光強度の温度特性を取得し，FOMが低く，かつドープ濃度の高い結晶では，低温において緑色励起に比べても明らかに蛍光効率の大きな改善率が見られた．本講演では，低温でレーザ発振させた場合の出力特性についての詳細を報告する．