[12a-D215-1~8] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[12a-D215-3] Investigation on Recovery Mechanism of III-V-N Alloy by Electron Irradiation

〇Ryo Futamura¹, Keisuke Yamane¹, Shigeto Genjo¹, Taishi Sumita², Mitsuru Imaizumi², Akihiro Wakahara¹ (1.Toyohashi Tech., 2.JAXA)

Keywords:III-V-N Alloy, Point defect

III-V-N混晶はN組成の増加に伴いN起因の点欠陥が増加し、光電効果特性の劣化を引き起こす。この問題に対し、GaPN混晶に放射線照射した後、熱処理を施すことで、従来の熱処理のみの手法に比べより大きく結晶性の回復効果が得られた。また放射線に電子線を用いることで、結晶性回復メカニズムとして、内在するＮ起因点欠陥と選択的に導入されたＰ空孔の対消滅モデルを支持する実験結果を得ることができた。