[12a-D311-1~6] 9.3 Nanoelectronics

△ [12a-D311-2] Fabrication and characterization of double-gate single-electron devices formed by Fe nanodot array

〇Takayuki Gyakushi¹, Yuki Asai¹, Beommo Byun¹, Ikuma Amano¹, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi¹, Masashi Arita¹, Yasuo Takahashi¹ (1.Hokkaido Univ.)

Keywords:Single-electron device, Self-assembled nanodot array, Coulomb oscillation

ナノドットアレイを用いた単電子デバイス(Single-electron device, SED)は、多数の入力端子を取り付けることが容易で、低消費電力・高機能性が可能な集積デバイスとして応用が期待されている。本研究では、より高機能なゲート制御を目指して、Feナノドットアレイを用いたダブルゲートSEDを作製した。その結果、２つのゲートを併用し、ドット内の電荷状態を制御できることが分かり、金属ナノドットアレイを用いたSEDの高機能化につながる重要な指針を得た。