[12a-D311-1~6] 9.3 ナノエレクトロニクス

△ [12a-D311-2] Feナノドットアレイを用いたダブルゲート単電子デバイスの作製と評価

〇瘧師 貴幸¹、浅井 佑基¹、卞 範模¹、天野 郁馬¹、福地 厚¹、有田 正志¹、高橋 庸夫¹ (1.北大院情報)

キーワード：単電子デバイス、自己組織化ナノドットアレイ、クーロン振動

ナノドットアレイを用いた単電子デバイス(Single-electron device, SED)は、多数の入力端子を取り付けることが容易で、低消費電力・高機能性が可能な集積デバイスとして応用が期待されている。本研究では、より高機能なゲート制御を目指して、Feナノドットアレイを用いたダブルゲートSEDを作製した。その結果、２つのゲートを併用し、ドット内の電荷状態を制御できることが分かり、金属ナノドットアレイを用いたSEDの高機能化につながる重要な指針を得た。