[12a-D419-1~12] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [12a-D419-9] Reliability of an amorphous carbon-doped In₂O₃ thin-film transistors under negative and positive bias stress

〇Riku Kobayashi^1,2, Toshihide Nabatame², Kazunori Kurishima^1,2,3, Takashi Onaya^1,2,4, Akihiko Ohi², Naoki Ikeda², Takahiro Nagata², Kazuhito Tsukagoshi², Atsushi Ogura¹ (1.Meiji Univ., 2.WPI-MANA, NIMS, 3.JSPS Research Fellow PD, 4.JSPS Research Fellow DC)

Keywords:oxide TFT

これまでに、我々はALD法で、成長温度を制御することで炭素ドープし、酸素欠損を抑制したアモルファスなIn₂O₃膜(carbon-doped In₂O₃)を作製でき、それをチャネルに用いたTFTで、ノーマリオフが可能な正のV_onを示すトランジスタ特性を報告した。しかし、ALD法によるIn₂O₃ TFTのNBS及びPBSにおける信頼性特性の報告例は少ない。本研究では、ALD法で作製したcarbon-doped In₂O₃膜をチャネル材料としたTFTを作製して、NBS及びPBSでのトランジスタ特性について調べた結果を報告する。