[12a-D519-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[12a-D519-5] 界面変調型固相成長法で形成したSn添加多結晶Ge極薄膜/絶縁基板の粒界障壁解析

〇千代薗 修典¹、公 祥生²、徐 暢²、佐道 泰造² (1.九大工、2.九大シス情)

キーワード：半導体、ゲルマニウムスズ

我々は、絶縁基板上におけるSn添加Geの固相成長を検討し、a-Si下地を挿入することでSn添加多結晶Ge極薄膜(堆積膜厚:≤50nm)のキャリア移動後が向上することを明らかにした。しかし、この手法でも、堆積膜厚を減少すると、キャリア移動度が低下する課題が明らかとなった。今回、その原因を検討したので報告する。