[12a-D519-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[12a-D519-6] 絶縁基板上におけるSiSn薄膜の低温固相成長特性

〇小杉 智浩¹、八木 和樹²、佐道 泰造² (1.九大工、2.九大シス情)

キーワード：半導体、シリコンスズ

集積回路の更なる高性能化には、従来材料(Si)よりも電子・光物性の優れた新材料Si_xGe_1-x-ySn_yを用い、高速デバイスや光デバイスを融合するアプローチが重要である。我々は絶縁基板上におけるGeSnの低温固相成長特性の詳細を解明してきた。一方、SiSn やSiGeSnの固相成長については、いくつかの報告があるものの、成長特性の詳細は解明されていない。今回、絶縁基板上におけるSiSnの低温固相成長特性を検討したので報告する。