[12a-PA2-1~77] 17 Nanocarbon Technology

[12a-PA2-46] Improving characteristic of graphene device was fabricated by graphene / nitride semiconductor heterojunction

〇Shota Tateishi¹, Kazunori Ichikawa¹, Hiroshi Akamatsue² (1.NIT Mastue college, 2.KCCT)

Keywords:graphene, hetero junction

これまでの結果からNiを用いた半導体とグラフェンのヘテロ接合は純Ni上に比べて、よりデバイスの高性能化が可能であることが分かった。そこで本研究では我々の研究室で研究を推進しているNi窒化物半導体上へのグラフェン合成することでヘテロ接合を形成し、TFTの特性向上を行った。