[12a-PA2-1~77] 17 Nanocarbon Technology

[12a-PA2-49] Numerical analysis on the layer number dependence of optical gain
in semiconductor laser structure with h-BCN active layer

〇Daisuke Maki¹, Matsuto Ogawa¹, Satofumi Souma¹ (1.Kobe Univ.)

Keywords:h-BCN, optical gain, semiconductor laser

近年の半導体レーザーの低消費電力化・高速動作化の進展とともに、低消費電力化の可能性が増しつつある。本研究では、様々な発振波長で高い増幅率が得られるレーザー光源の実現に向け、B,N,C原子の比率によってバンドギャップを変化させることができるh-BCNを活性層に用いた半導体レーザーに着目している。講演では、h-BCNを活性層に用いた場合の光増幅利得を強束縛近似法を用いたシミュレーションによって解析した結果を報告する。