[12a-PA2-1~77] 17 ナノカーボン

[12a-PA2-56] アモルファスカーボン薄膜を固体材料として用いたグラフェン/グラファイトの成長
-SOI基板を用いた鉄シリサイド上へのグラフェン成長-

〇(M2)ランウィット スピサラ¹、前田 文彦¹ (1.Fukuoka Institute)

キーワード：graphnene

CVD法をベースとしたアモルファスカーボンを原料としてグラフェン成長研究をめざしており、酸化物層をSi結晶層の下に形成したSOI基板上を用いて直接Si基板上にF e薄膜を形成し、グラフェン成長を試みた。その結果、基板温度650℃〜750℃の範囲でグラファイトの成長に成功した。この時、加熱温度を上げるとラマンスペクトルのSiのピークが小さくなり、SOI層がシリサイド化していることが分かった。