[12a-PA2-1~77] 17 ナノカーボン

[12a-PA2-63] Bridgman法を用いたSnSe₂単結晶への13族元素ドープによる電気的挙動変化

〇赤根 大介¹、上野 啓司¹ (1.埼玉大院理工)

キーワード：二セレン化スズ、Bridgman法、置換ドーピング

電界効果トランジスタの微細化問題の解決を期待されている半導体材料に半導体層状物質がある．その1つに低融点という特徴を有する二セレン化スズ(SnSe₂)が存在する．しかし，その応用の際にはp型・n型の伝導型制御が求められるが，SnSe₂は自身の欠陥に由来して強くnドープされている．本研究では，SnSe₂のもつ低融点という特徴を活かして，Bridgman法による単結晶成長を行い，SnSe₂単結晶への13族元素(Al, In)ドープによる電気的挙動の変化を調べた．