[12a-PA2-1~77] 17 Nanocarbon Technology

[12a-PA2-65] Effect of O₃ exposure oxidation and Al₂O₃ ALD on WSe₂ FET characteristics

〇Yosuke Machida¹, Ueno Keiji¹ (1.Saitama Univ.)

Keywords:layerd material, Tungsten diselenide, atomic layer deposition

O₃曝露による表面酸化によってWSe₂上のALD Al₂O₃膜質を改善することができる。本研究ではそれらによる電気的特性への影響を調べるために未処理，O₃曝露後，Al₂O₃ ALD後の各段階においてWSe₂ FET動作測定を行った。その結果，未処理ではn型挙動，O₃曝露後は金属的挙動，Al₂O₃ ALD後は再びn型挙動を示した。このことからO₃曝露による酸化膜はpドーパントとして機能するが，Al₂O₃膜からの電子供与によりドーパントとして機能しなくなることが示唆される。