9:30 AM - 11:30 AM
[12a-PA2-65] Effect of O3 exposure oxidation and Al2O3 ALD on WSe2 FET characteristics
Keywords:layerd material, Tungsten diselenide, atomic layer deposition
O3曝露による表面酸化によってWSe2上のALD Al2O3膜質を改善することができる。本研究ではそれらによる電気的特性への影響を調べるために未処理,O3曝露後,Al2O3 ALD後の各段階においてWSe2 FET動作測定を行った。その結果,未処理ではn型挙動,O3曝露後は金属的挙動,Al2O3 ALD後は再びn型挙動を示した。このことからO3曝露による酸化膜はpドーパントとして機能するが,Al2O3膜からの電子供与によりドーパントとして機能しなくなることが示唆される。