[12a-PA2-1~77] 17 ナノカーボン

[12a-PA2-65] O₃曝露酸化およびAl₂O₃ ALDによるWSe₂ FET特性への影響

〇町田 葉祐¹、上野 啓司¹ (1.埼玉大院理工)

キーワード：層状物質、二セレン化タングステン、原子層堆積法

O₃曝露による表面酸化によってWSe₂上のALD Al₂O₃膜質を改善することができる。本研究ではそれらによる電気的特性への影響を調べるために未処理，O₃曝露後，Al₂O₃ ALD後の各段階においてWSe₂ FET動作測定を行った。その結果，未処理ではn型挙動，O₃曝露後は金属的挙動，Al₂O₃ ALD後は再びn型挙動を示した。このことからO₃曝露による酸化膜はpドーパントとして機能するが，Al₂O₃膜からの電子供与によりドーパントとして機能しなくなることが示唆される。