PDF ダウンロード スケジュール 2 いいね! 0 コメント (0) 09:30 〜 11:30 [12a-PA2-76] ゲート絶縁膜転写とPVAドーピングによるトップゲートMoS2 FETの作製 〇川那子 高暢1、松﨑 貴広1、小田 俊理1 (1.東工大量子ナノ研) キーワード:MoS2 FET、トップゲート構造、ドーピング