[12a-PB4-1~13] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[12a-PB4-7] 3次元TLC NAND型フラッシュメモリにおけるしきい値電圧変調を加えたデータ圧縮方式

〇森 優大¹、前田 京佑¹、竹内 健¹ (1.中大理工)

キーワード：NAND型フラッシュメモリ