[12p-A202-1~13] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[12p-A202-11] Monte Carlo Simulations of Single-Layer MoS₂ under 3D Device Structures Ⅱ

〇Shuta Okada¹, Katsuhisa Yoshida¹, Nobuyuki Sano¹ (1.Univ. of Tsukuba)

Keywords:monte carlo simulation, monoatomic layer, coulomb interaction

単原子層MoS₂のモンテカルロ(MC)シミュレータに対して，エネルギー保存の観点からクーロン相互作用の高精度な導入について検討を行った．外場のない閉じた系との比較から，フォノン散乱によるエネルギー散逸の存在する開放系では，エネルギー保存則が破れている場合においても数値的に安定した結果を導いてしまうことが考えられる．2次元材料においては，膜厚に対してクーロン相互作用が非常に鋭敏になることが示唆される．