[12p-A202-1~13] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

△ [12p-A202-2] 局所DLTSを用いたSiO₂/Si界面におけるバイアスストレスの影響評価に関する検討

〇(B)鈴木 小春¹、山末 耕平¹、長 康雄¹ (1.東北大通研)

キーワード：半導体、界面準位密度、局所DLTS

界面状態が非常に良好なSiO₂/Si は，Si MOSFETなどのデバイス用途に広く用いられている．Siデバイスの微細化が進展する現在，ナノスケールの空間分解能でSiO₂/Si界面を評価することは極めて重要であると考えられる．本報告では走査型非線形誘電率顕微鏡（SNDM）を応用した局所DLTS（Local Deep Level Transient Spectroscopy）を用いて，バイアス印加によるストレスを受けたSiO₂/Siの界面準位密度(D_it)評価を試みた結果を報告する．