[12p-A205-1~15] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[12p-A205-10] 計算科学による新規エッチングガスの探索

〇林 俊雄¹、関根 誠¹、石川 健治¹、堀 勝¹ (1.名古屋大学工)

キーワード：半導体プロセス、エッチング、新規ガス

エッチングガスとしてPFC(perfluorocarbon), HFC(Hydrofluorocarbon), HFE(Hydrofluoroether)、NF₃, SF₆などがこれまで用いられてきた。しかし、ドライエッチングに有用と思われるガスは他にも多く存在する。例えば、CF₃NH₂、CF₃NO、N₂F₄等である。単一で用いるのは難しいがガスの電子物性を良く知り、目的に応じて添加ガスを選択すれば窒化膜や酸化膜のエッチングに有用である可能性が高い。この観点に立ちCF₃NH₂とCF₃NOについて、計算化学を用いて、その電子物性と解離過程を調べたので報告する。