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△ [12p-A205-6] 極低温領域におけるCHF3ガス凝縮層を用いたエッチングプロセスの研究
キーワード:サイクルエッチング、極低温エッチング、シリコン酸化膜
3次元型半導体デバイスのプラズマエッチングにおいては、従来よりも高アスペクト比な加工技術が要求されている。そこで我々は極低温領域におけるCHF3ガス凝縮層を用いたエッチングプロセスを考案した。実験の結果、極低温領域における凝縮層の形成による効果から、SiO2平坦膜において高いエッチング速度が得られた。本講演では、エッチング速度の温度依存性とCHF3ガス導入時間依存性から、そのメカニズムを議論する。