2020年第67回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

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[12p-A205-1~15] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

2020年3月12日(木) 13:45 〜 18:00 A205 (6-205)

太田 貴之(名城大)、深沢 正永(ソニーセミコンダクタソリューションズ)、岩瀬 拓(日立製作所)

15:15 〜 15:30

[12p-A205-6] 極低温領域におけるCHF3ガス凝縮層を用いたエッチングプロセスの研究

羽澄 匡広1、スガンサマラー セルヴァラジ2、蕭 世男2、関根 誠2、林 久貴3,2、佐々木 俊行3、阿部 知央3、堤 隆嘉2、石川 健治2、堀 勝2 (1.名大院工、2.名大 低温プラズマ科学研究センター、3.キオクシア(株))

キーワード:サイクルエッチング、極低温エッチング、シリコン酸化膜

3次元型半導体デバイスのプラズマエッチングにおいては、従来よりも高アスペクト比な加工技術が要求されている。そこで我々は極低温領域におけるCHF3ガス凝縮層を用いたエッチングプロセスを考案した。実験の結果、極低温領域における凝縮層の形成による効果から、SiO2平坦膜において高いエッチング速度が得られた。本講演では、エッチング速度の温度依存性とCHF3ガス導入時間依存性から、そのメカニズムを議論する。