2020年第67回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.8 光物性・発光デバイス

[12p-A303-1~15] 13.8 光物性・発光デバイス

2020年3月12日(木) 13:45 〜 17:45 A303 (6-303)

七井 靖(青学大)、篠崎 健二(産総研)

15:45 〜 16:00

[12p-A303-8] Xe2*真空紫外光を励起源とする紫外ランプ

幡中 悠一郎1、石垣 雅1、大観 光徳1、岩田 海星2、中村 勝2 (1.鳥取大工、2.(株)クォークテクノロジー)

キーワード:Xe2*真空紫外光、紫外ランプ、蛍光体

波長172nmの真空紫外(VUV) Xe2*エキシマランプを励起光源とし, 水銀共鳴線(254 nm) に近い波長域に発光ピークを有する紫外ランプの開発を目指す. YPO4:Bi, YPO4:Pr, YBO3:Pr 蛍光体を合成し, VUV励起時のフォトルミネッセンス(PL)強度を評価した. YPO4:BiのPL強度が極めて大きく, 充填厚を薄くするとともに発光量が増加した.