[12p-A305-1~13] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[12p-A305-11] Split-electrodeによる原子スイッチのSet電圧ばらつきの改善

〇伴野 直樹¹、岡本 浩一郎¹、沼田 秀昭¹、井口 憲幸¹、阪本 利司¹、多田 宗弘¹ (1.NEC)

キーワード：不揮発メモリ、原子スイッチ、FPGA

原子スイッチは不揮発SoCへの応用が期待できるが、SoCが高密度化されるとSet電圧(V_set)ばらつき低減が必要となる。本研究では、V_setばらつきの低減のためSplit-electrode(SE)を有する原子スイッチを提案した。SEは1つの素子内に2つのスイッチを並列に配置し、複数のスイッチのうちV_setの小さいスイッチが選択的にSetすることでV_setばらつきの低減が期待できる。従来素子に比べてSE素子では6σに外挿したV_setは0.3V低減した。SE素子による6σのV_setを正規分布で実現したと仮定すると、σV_setは正規分布におけるばらつきを3倍改善したことと同等の効果であることがわかった。