[12p-A305-1~13] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[12p-A305-13] 酸素雰囲気アニールをしたTaO_x ReRAMにおける電気伝導の温度依存性

〇(M1C)道古 宗俊¹、鈴木 政洋¹、石井 芳晶¹、茂庭 昌弘¹ (1.東京工科大工)

キーワード：ReRAM、ウェアラブル、低消費電力

IoT ウェアラブルエッジ端末の低消費電力化に向け，抵抗変化メモリ(ReRAM)が注目されている．本研究では，酸素空孔による電気伝導メカニズムを理解するため，TaO_x におけるコンダクタンスの温度特性を評価し，酸化アニール温度との対応を調べた．アニール温度の低下につれて，コンダクタンスの活性化エネルギーは，大きく増加した．構造変化の可能性も含めて，多面的に調べる必要がある．