[12p-A305-1~13] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[12p-A305-5] Mg₂Si/Siヘテロ接合ツェナーダイオードの電気的特性

〇山口 直弥¹、菅 瑛斗¹、中野 雄介¹、岸 佳佑¹、唐鎌 亮太¹、三田 梓郎¹、呉 研¹、高橋 芳浩¹ (1.日大理工)

キーワード：半導体、トンネルFET