[12p-A307-1~8] 窒化物半導体特異構造の科学　～実験と理論の接点を探る：物性解明と制御～

[12p-A307-4] 有機金属気相エピタキシー成長におけるGaN複合ファセット上での吸着Ga原子の振る舞い

〇瀬田 雄基¹、秋山 亨¹、プラディプト アブダルムィッツ¹、中村 浩次¹、伊藤 智徳¹ (1.三重大院工)

キーワード：窒化物半導体、ファセット制御