[12p-A401-1~6] 17.3 層状物質

[12p-A401-4] 浮遊ゲート電位の測定による2Dメモリデバイス動作の理解

〇佐々木 太郎¹、谷口 尚²、渡邊 賢司²、西村 知紀¹、長汐 晃輔¹ (1.東大工、2.物材機構)

キーワード：二次元、メモリ