[12p-A403-1~15] 16.3 シリコン系太陽電池

[12p-A403-4] Rib-Si太陽電池のデバイス動作解析

〇小長井 誠¹、高村 司¹、岩田 龍門¹、市川 幸美¹、齊藤 公彦² (1.都市大総研、2.福島大共生システム理工)

キーワード：Si太陽電池、ヘテロ接合型

ウェハの機械的強度を保ちつつ薄型化を図るためRib太陽電池の開発を進めている。今回はVocのウェハ厚依存性を理論、実験両面から比較検討し、p/i界面に存在する界面欠陥密度を考察した。これまでに厚さが100mmのRib太陽電池で変換効率20.2%が得られている。ヘテロ接合太陽電池の動作解析にはAFORS-HETを用いた。p/i界面に再結合中心が高い層を1nm挿入し理論解析を行った。理論と実験の比較により、界面欠陥密度の推測をおこなった。