The 67th JSAP Spring Meeting 2020

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Oral presentation

16 Amorphous and Microcrystalline Materials » 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[12p-A403-1~15] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

Thu. Mar 12, 2020 1:15 PM - 5:30 PM A403 (6-403)

Keisuke Ohdaira(JAIST), Daiji Kanematsu(Panasonic), Shinsuke Miyajima(Tokyo Tech)

2:45 PM - 3:00 PM

[12p-A403-6] Effect of NH3-related radical treatment at low catalyzer temperatures on SiNx passivation performance

Yoshiaki Sumitomo1, Huynh Thi Cam Tu1, Keisuke Ohdaira1 (1.JAIST)

Keywords:NH3-related radical treatment, Cat-CVD, Solicon nitride

Cat-CVDチャンバーでのNH3系ラジカル処理時の触媒体温度を低くすることで、後処理の必要がない場合のSiNx膜のパッシベーション性能への影響を調査した。ラジカル処理時間増加とともにeffが低下する傾向が見られた。これは、NH3ガスを導入することにより触媒分解で生成された水素ラジカルによるエッチングであると思われる。処理時間増加とともに接触角がほぼ一定である傾向が見られた。この結果より、窒化が起きていないことが示唆される。