[12p-A403-1~15] 16.3 シリコン系太陽電池

[12p-A403-7] 水素処理によるCat-CVD極薄窒化Si膜のパッシベーション性能の改善

〇Wen Yuli¹、Huynh Thi Cam Tu¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大)

キーワード：パッシベーション、Cat-CVD　極薄窒化Si膜、Cat-CVD　水素処理

Cat-CVD極薄窒化Si膜をトンネルパッシベーション膜として使用するため、水素ラジカル処理によりパッシベーション性能を向上させる検討を行った。処理時間の増加と共に、パッシベーション性能が上昇し、その後低下する傾向を確認した。パッシベーション性能の向上は、高温触媒体によるアニール効果と、極薄窒化Si膜を透過した水素ラジカルによる結晶Si表面の未結合手終端と考えらえる。また、昇温し過ぎると、水素脱離によってパッシベーション性能が悪化すると考えられる。