[12p-A403-1~15] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[12p-A403-7] Improvement in the passivation quality of Cat-CVD ultra-thin SiNx film by hydrogen treatment

〇Yuli Wen¹, Thi Cam Tu Huynh¹, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST)

Keywords:passivation, Cat-CVD ultra-thin nitride silicon, Cat-CVD hydrogen treatment

Cat-CVD極薄窒化Si膜をトンネルパッシベーション膜として使用するため、水素ラジカル処理によりパッシベーション性能を向上させる検討を行った。処理時間の増加と共に、パッシベーション性能が上昇し、その後低下する傾向を確認した。パッシベーション性能の向上は、高温触媒体によるアニール効果と、極薄窒化Si膜を透過した水素ラジカルによる結晶Si表面の未結合手終端と考えらえる。また、昇温し過ぎると、水素脱離によってパッシベーション性能が悪化すると考えられる。