[12p-B401-1~16] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[12p-B401-11] GaN-HEMTの電気的特性のAlGaN電子供給層厚依存性

〇高橋 英匡¹、安藤 裕二¹、山口 椋平³、分島 彰男³、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)

キーワード：GaN、HEMT、窒化ガリウム

レクテナの大電力高効率化のために、ノーマリオフ化したGaN-HEMTを用いた Gated-Anodeダイオードの開発を行っている。本研究ではエピ設計用基本データ取得のため、SiC基板上のGaN-HEMTの電気的特性のAlGaN電子供給層厚依存性を調べた。HEMTの電気的特性および理論値との比較について発表する。