[12p-B401-1~16] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[12p-B401-13] 界面顕微光応答法を用いた窒化物半導体HEMT上のショットキー電極の2次元評価

〇内田 昌宏^1,2、川角 優斗²、西村 一巳¹、塩島 謙次² (1.NTT-AT、2.福井大院工)

キーワード：窒化物半導体、HEMT、界面顕微光応答法

SiC基板上に成長したAlGaN/GaN HEMT構造のエピタキシャルウェハにAu/Niショットキー電極を形成し、電極が形成された領域で界面顕微光応答法(SIPM)による測定を行ってショットキー障壁高さの2次元分布を得た。分布はエピ結晶成長時の異常成長を反映している可能性があり、エピ結晶の評価方法としても有効である。