[12p-B401-1~16] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [12p-B401-2] Basic Etching Characteristics of GaN by Neutral Beam

〇(B)Takahiro Sawada¹, Daisuke Ohori¹, Kenta Sugawara³, Masaya Okada³, Kazutaka Inoue³, Daisuke Sato⁴, Hideyuki Kurihara⁴, Seiji Samukawa^1,2 (1.IFS, Tohoku Univ., 2.AIMR, Tohoku Univ., 3.Sumitomo Electric Industries, Ltd, 4.SHOWA DENKO K.K.)

Keywords:GaN, etching, Neutral Beam

GaN高電子移動度トランジスタ(GaN HEMT)はAI・IoT社会の発展に必要不可欠な第5世代無線基地局(5G)通信による高速・高信頼ネットワーク形成へ期待されている。GaNエッチング時の表面状態及びそのメカニズムの詳細に関して、本研究ではGaNの加工における基礎特性をBiasパワー及びガス種を変化させることで明らかにした。