2020年第67回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[12p-B401-1~16] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2020年3月12日(木) 13:15 〜 17:30 B401 (2-401)

加藤 正史(名工大)

13:45 〜 14:00

[12p-B401-3] NH3/H2雰囲気下で選択エッチングしたN極性AlGaN/GaNヘテロ構造の評価

吉屋 佑樹1、星 拓也1、杉山 弘樹1、松崎 秀昭1 (1.NTT先端集積デバイス研)

キーワード:窒化ガリウム、N極性、選択熱分解エッチング