[12p-B401-1~16] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [12p-B401-2] 中性粒子ビームによるGaN加工基礎特性

〇(B)澤田 尭廣¹、大堀 大介¹、菅原 健太³、岡田 政也³、井上 和孝³、佐藤 大輔⁴、栗原 秀行⁴、寒川 誠二^1,2 (1.東北大流体研、2.東北大AIMR、3.住友電工、4.昭和電工)

キーワード：GaN、エッチング、中性粒子ビーム

GaN高電子移動度トランジスタ(GaN HEMT)はAI・IoT社会の発展に必要不可欠な第5世代無線基地局(5G)通信による高速・高信頼ネットワーク形成へ期待されている。GaNエッチング時の表面状態及びそのメカニズムの詳細に関して、本研究ではGaNの加工における基礎特性をBiasパワー及びガス種を変化させることで明らかにした。