[12p-B401-1~16] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[12p-B401-5] Fabrication of recessed-gate AlGaN/GaN HEMTs utilizing contactless photoelectrochemical (CL-PEC) etching

〇(D)Masachika Toguchi¹, Kazuki Miwa¹, Fumimasa Horikiri², Noboru Fukuhara², Yoshinobu Narita², Osamu Ichikawa², Ryota Isono², Takeshi Tanaka², Taketomo Sato¹ (1.RCIQE, Hokkaido Univ., 2.SCIOCS Co. Ltd.)

Keywords:Photoelectrochemical, Etching, Nitride Semiconductor

光電気化学エッチングを用いたリセスゲート型 AlGaN/GaN HEMT の作製は、素子の伝達特性の向上と閾値電圧の制御の観点から有望である。本報告では、実験系が大幅に簡略化されたコンタクトレス光電気化学エッチングを適用しリセスゲート型ショットキー HEMT を作製したため、その結果について報告する。