[12p-B415-1~14] 3.6 超高速・高強度レーザー

[12p-B415-7] バルクGaAsにおける反射配置での高次高調波発生の実験と理論解析

〇夏 沛宇¹、玉谷 知裕¹、Lu Faming¹、金井 輝人¹、石井 順久¹、金 昌秀¹、秋山 英文¹、加藤 岳生¹、板谷 治郎¹ (1.東大物性研)

キーワード：高次高調波、半導体、GaAs

GaAsのバンドギャップ(1.4 eV)直上の高次高調波の発生効率は非摂動論的領域において、レーザー励起強度の増加に従って単調に飽和するだけでなく、非単調に振動することが分かった。Luttinger-Kohn模型に基づいた理論を構築し、GaAs結晶における高次高調波発生の数値解析を行ったところ、同様の振動構造が再現された。以上の実験と理論の比較研究によって、強電場による電子励起ダイナミクスをトンネル確率の凍結現象と結び付けて議論する。