[12p-D215-1~12] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[12p-D215-3] 基板オフ角依存GaN中C濃度のステップ端偏析モデルに基づく解釈

〇望月 和浩¹、堀切 文正²、太田 博¹、三島 友義¹ (1.法政大、2.サイオクス)

キーワード：半導体、不純物、偏析