[12p-D419-1~15] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [12p-D419-3] Hole generation and charge compensation by structural defects in p-type ternary Sn²⁺ oxides

〇(DC)Akane Samizo^1,2, Naoto Kikuchi², Makoto Minohara², Kyoko Bando³, Yoshihiro Aiura², Keishi Nishio¹ (1.Tokyo Univ. of Sci., 2.Electronics and Photonics RI, AIST, 3.Nanomaterials RI, AIST)

Keywords:new p-type oxide semiconductor, structural defect

我々は新規p型酸化物として多元型Sn²⁺酸化物に着目し、これまでにSn₂Nb₂O₇とSnNb₂O₆においてp型伝導性の発現に初めて成功した。さらに、その正孔の起源はどちらもSn⁴⁺がNbサイトに置換することで生成するSn⁴⁺置換欠陥であることを明らかとした。しかし、その正孔生成効率はSn₂Nb₂O₇で二桁以上低い値であった。そこで本研究では、電荷補償の要因となる酸素欠陥生成に新たに着目し、p型伝導性発現における正孔生成機構を比較・検討した結果を報告する。