[12p-D419-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [12p-D419-3] p型三元系Sn²⁺酸化物における正孔生成と酸素欠陥生成による電荷補償

〇(DC)三溝 朱音^1,2、菊地 直人²、簔原 誠人²、阪東 恭子³、相浦 義弘²、西尾 圭史¹ (1.東理大、2.産総研電子光、3.産総研ナノ材料)

キーワード：新規p型酸化物半導体、構造欠陥

我々は新規p型酸化物として多元型Sn²⁺酸化物に着目し、これまでにSn₂Nb₂O₇とSnNb₂O₆においてp型伝導性の発現に初めて成功した。さらに、その正孔の起源はどちらもSn⁴⁺がNbサイトに置換することで生成するSn⁴⁺置換欠陥であることを明らかとした。しかし、その正孔生成効率はSn₂Nb₂O₇で二桁以上低い値であった。そこで本研究では、電荷補償の要因となる酸素欠陥生成に新たに着目し、p型伝導性発現における正孔生成機構を比較・検討した結果を報告する。