[12p-D419-1~15] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [12p-D419-4] Generation of hole carriers in α-SnWO₄

〇Yuka Dobashi^1,2, Akane Samizo^1,2, Naoto Kikuchi², Makoto Minohara², Yoshiyuki Aiura², Keishi Nishio¹ (1.Tokyo Univ.Sci, 2.AIST)

Keywords:oxide semiconductor

p型化が難しいワイドバンドギャップ酸化物において、価電子帯上端にSnの5s軌道成分をもつSn₂Nb₂O₇およびSnNb₂O₆のp型伝導の発現に成功し、NbO₆八面体中のNbサイトをSn⁴⁺が置換した欠陥により正孔を生成することを見出した。本報告では、Sn₂Nb₂O₇やSnNb₂O₆と同様に八面体構造(WO₆)をもつα-SnWO₄に着目し、WサイトへのSn⁴⁺置換による正孔生成でp型伝導の発現と、結晶構造やSnの化学状態から正孔生成機構に関して議論する。