The 67th JSAP Spring Meeting 2020

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Oral presentation

Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[12p-D419-1~15] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Thu. Mar 12, 2020 1:45 PM - 5:45 PM D419 (11-419)

Takayoshi Oshima(FLOSFIA), Masataka Higashiwaki(NICT)

3:00 PM - 3:15 PM

[12p-D419-6] Time-resolved Photoluminescence Spectroscopy of Rocksalt-structured MgZnO Films

Kanta Kudo1, Kyohei Ishii2, Mizuki Ono1, Kentaro Kaneko2, Tomohiro Yamaguchi1, Kazunobu Shima3, Kohei Kojima3, Shizuo Fujita2, Tohru Honda1, Shigefusa Chichibu3, Takeyoshi Onuma1 (1.Kogakuin Univ., 2.Kyoto Univ., 3.IMRAM-Tohoku Univ.)

Keywords:MgZnO, TRPL, DUV

深紫外線(DUV)や真空紫外線(VUV)は殺菌や光化学などへ利用されている。固体ベースの発光材料として、岩塩構造酸化マグネシウム亜鉛(RS-MgxZn1-xO)に注目している。これまでに、ミストCVD法を用いて酸化マグネシウムモル分率x>0.5のRS-MgxZn1-xO薄膜を成膜し、CL測定によるDUV、VUV領域での発光を観測した。本研究では、RS-MgxZn1-xOの時間分解フォトルミネッセンス(TRPL)分光によりPL寿命を観測したため、発光特性改善の観点から報告する。