The 67th JSAP Spring Meeting 2020

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Oral presentation

Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[12p-D419-1~15] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Thu. Mar 12, 2020 1:45 PM - 5:45 PM D419 (11-419)

Takayoshi Oshima(FLOSFIA), Masataka Higashiwaki(NICT)

3:15 PM - 3:30 PM

[12p-D419-7] The Effects of Thickness on the Properties of Titanium Dioxide Film on conductive Substrate Prepared by Mist Chemical Deposition

〇(B)Suguru Matsumoto1, Chaoyang Li1 (1.Kochi Univ. tech)

Keywords:Titanium dioxide, Thin film

酸化チタンは電気工学的に優れた特性を有するため、ガスセンサの応用に用いられてきた材料である。しかし、従来の成膜法では問題点があり、今回ガスセンサの性能向上のためにMist CVD法を用いて均一で純粋なアナターゼ型の酸化チタン薄膜の成膜を目的とした。実験の結果、酸化チタンの膜厚、溶液の濃度の違いに関わらず均一で純粋な酸化チタン薄膜を成膜でき、熱安定性の向上も見られた。