2020年第67回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[12p-D419-1~15] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2020年3月12日(木) 13:45 〜 17:45 D419 (11-419)

大島 孝仁(FLOSFIA)、東脇 正高(情通機構)

15:15 〜 15:30

[12p-D419-7] 導電性基板上にTiO2薄膜の膜厚依存性分析

〇(B)松本 卓1、李 朝陽1 (1.高知工科大)

キーワード:酸化チタン、薄膜

酸化チタンは電気工学的に優れた特性を有するため、ガスセンサの応用に用いられてきた材料である。しかし、従来の成膜法では問題点があり、今回ガスセンサの性能向上のためにMist CVD法を用いて均一で純粋なアナターゼ型の酸化チタン薄膜の成膜を目的とした。実験の結果、酸化チタンの膜厚、溶液の濃度の違いに関わらず均一で純粋な酸化チタン薄膜を成膜でき、熱安定性の向上も見られた。