[12p-D519-1~10] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [12p-D519-1] 逆格子空間マッピングを用いたGe_1-xSn_xメサ構造における熱膨張係数評価

〇(M2)高橋 祐樹¹、横川 凌^1,2、吉岡 和俊¹、小笠原 凱¹、廣沢 一郎³、須田 耕平¹、小椋 厚志^1,4 (1.明治大理工、2.学振特別研究員 DC、3.高輝度光科学研究センター、4.再生可能エネルギー研究インスティテュート)

キーワード：歪、逆格子空間マッピング、熱膨張係数

Ge_1-xSn_xはGeに比べて高移動度と低熱伝導率を持ち、次世代の電子及び熱電デバイス材料として期待されている。これまでに我々は微細加工したGe_1-xSn_xメサ構造における格子定数の異方性を報告した。異方的な歪を有する微細構造においては、熱膨張による影響も異方性を示すと考えられるため、本報告では室温から300℃の温度範囲で逆格子空間マッピング測定を行いGe_1-xSn_xメサ構造の温度による格子定数変化と熱膨張係数の導出を試みた。