[12p-PA5-1~34] 12.4 有機EL・トランジスタ

[12p-PA5-28] エンチオール反応により紫外線重合させた有機薄膜トランジスタ用ポリシルセスキオキサンゲート絶縁膜

〇山根 健一郎¹、中上 智章¹、中原 佳夫¹、宇野 和行¹、田中 一郎¹ (1.和歌山大システム工)

キーワード：ポリシルセスキオキサン、ゲート絶縁膜、エンチオール反応

われわれは、耐熱性の低い汎用プラスチック基板上でも重合可能なゲート絶縁膜として、紫外線重合可能なPolysilsesquioxane (PSQ)を検討している。本研究では、キャリア移動度低下の要因となるカルボニル基を用いないエンチオール反応に適したPSQとして3-メルカプトプロピル基を側鎖に持つPSQを合成した。また、低分子架橋剤としてPentaerythrityl tetraallyl etherを用い、それらをゲート絶縁膜材料に用いた結果について報告する。