[13a-A205-1~6] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[13a-A205-4] 反応性プラズマプロセスを用いた高移動度IGZO薄膜トランジスタの低温形成(II)

節原 裕一¹、〇竹中 弘祐¹、平山 裕之¹、内田 儀一郎²、江部 明憲³ (1.阪大接合研、2.名城大理工、3.イー・エム・ディー)

キーワード：反応性プラズマプロセス、酸化物半導体