[13a-A302-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

[13a-A302-5] Stacked three-colored light emitting diodes using Eu-doped GaN and InGaN quantum wells

〇Shuhei Ichikawa¹, Keishi Shiomi¹, Takaya Morikawa¹, Yutaka Sasaki¹, Dolf Timmerman¹, Jun Tatebayashi¹, Yasufumi Fujiwara¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:GaN, rare-earth, LED

マイクロLEDディスプレイの実現には、3原色LEDチップの高集積化が必要不可欠である。実現のためには、同一基板上に(同一材料系で) 3原色のLEDを如何に作製するか、がキーテクノロジーとなる。本研究室ではこれまでに、有機金属気相成長法により希土類元素のEuをGaN結晶中にin-situ添加し(GaN:Eu)、これを活性層とした赤色LEDを実現してきた。本研究では、Eu添加GaNによる赤色LED構造とInGaN系青色・緑色LED構造を積層成長することで、同一基板上に集積した3色LEDを作製し電流動作を確認したので報告する。